память

В 2025 году лаборатория функциональных материалов и устройств для наноэлектроники Института квантовых технологий МФТИ отчиталась об успешном испытании промышленных прототипов энергонезависимой памяти на основе сегнетоэлектрического оксида гафния. Это большое достижение для российской микроэлектроники.

Коллектив лаборатории перспективных концепций хранения данных Института квантовых технологий МФТИ совместно с АО «НИИМЭ» успешно завершил ключевой этап разработки и изготовления макетов энергонезависимой памяти на основе сегнетоэлектрических полевых транзисторов (FeFET) с архитектурой 1Т-1С. Работа была выполнена в рамках проекта молодежной лаборатории МФТИ в области микроэлектроники.

Ученые МФТИ впервые обнаружили и объяснили причину «пробуждения» сегнетоэлектрических пленок оксида гафния.

Проведенные эксперименты и теоретическая модель подтвердили, что джозефсоновский вихрь можно использовать как носитель информации.

Российские ученые создали биологически правдоподобную модель памяти для систем искусственного интеллекта с внутренней мотивацией.

Представляем вашему вниманию дайджест событий научной жизни МФТИ, информация о которых пришла к нам в последние две недели: с 22 июня по 6 июля.

Ученые создали прототип суперэнергоэффективной памяти будущего.

Ученые создали магнитную «оперативку».

Предлагаемые учеными МФТИ пленки могут стать основой для ReRAM.