транзистор

Корреспондент журнала «За науку» побеседовал с президентом РАН Геннадием Красниковым о прошлом, настоящем и будущем микроэлектроники в России. Геннадий Яковлевич возглавляет кафедру микро- и наноэлектроники в МФТИ, больше 40 лет проработал в НИИ молекулярной электроники и на заводе «Микрон», пройдя путь от инженера до директора и научного руководителя.

В 2025 году лаборатория функциональных материалов и устройств для наноэлектроники Института квантовых технологий МФТИ отчиталась об успешном испытании промышленных прототипов энергонезависимой памяти на основе сегнетоэлектрического оксида гафния. Это большое достижение для российской микроэлектроники.

Коллектив лаборатории перспективных концепций хранения данных Института квантовых технологий МФТИ совместно с АО «НИИМЭ» успешно завершил ключевой этап разработки и изготовления макетов энергонезависимой памяти на основе сегнетоэлектрических полевых транзисторов (FeFET) с архитектурой 1Т-1С. Работа была выполнена в рамках проекта молодежной лаборатории МФТИ в области микроэлектроники.

Технология пригодится, в первую очередь, для развития персонализированной медицины, где требуется быстро и точно анализировать сложные биологические данные.

Ученые создали материалы на основе сложного оксида индия, галлия и цинка.

Он получился полностью оптическим и динамическим.

Изученные физико-химиками системы интересны для создания молекулярных клеточных автоматов — устройств, позволяющих создать альтернативную полупроводникам технологию для обработки информации.

Новый оптический «транзистор» ускорит вычисления в тысячу раз при минимальных энергозатратах

Ученые разработали новый тип транзистора на основе двухслойного графена и с помощью моделирования доказали, что он обладает рекордно низким энергопотреблением.