Технологии

Сотрудники группы атомно-слоевого осаждения МФТИ совместно с коллегами из Кореи изучили влияние дефектов поверхности одного из электродов на свойства ячейки резистивной памяти. Оказалось, что при увеличении толщины электрода шероховатость его поверхности резко возрастает, а параметры ячейки памяти заметно улучшаются.

Ученые научили компьютер предсказывать сложную динамику кубитов.

Ученые МФТИ наши способ поднять чувствительность биосенсоров дo уровня дoстаточного для применения в бытовых приборах.

Соединительные элементы в электронных схемах магнонной логики очень важны.

Прорыв на пути к созданию новых типов энергонезависимых ячеек памяти совершила группа исследователей из МФТИ.

Ученым удалось передать сигнал на расстояние 520 км со скоростью 200 Гб/с.

Разработанная программа EphaGen может использоваться для контроля качества при диагностике генетических заболеваний.

Ученые представили мемристор второго рода на базе оксида гафния.

Физики из России и Европы показали принципиальную возможность создания из системы «сверхпроводник — ферромагнетик» магнонных кристаллов — элементарных составляющих будущих посткремниевых электронных устройств.

В МФТИ показали, что коммерчески доступный «грязный» графен пригоден для детекции терагерцевого излучения.