оксид гафния

Ученые МФТИ показали, что пленки оксида гафния нестандартной геометрии ведут себя как хороший пьезоэлектрик.

На Физтехе научная деятельность никогда не останавливается. Рассказываем вам о достигнутом за последние две недели.

Прорыв на пути к созданию новых типов энергонезависимых ячеек памяти совершила группа исследователей из МФТИ.

Ученые представили мемристор второго рода на базе оксида гафния.

Ученые «ощупали» материал для памяти будущего.