атомно-слоевого осаждения

Сотрудники группы атомно-слоевого осаждения МФТИ совместно с коллегами из Кореи изучили влияние дефектов поверхности одного из электродов на свойства ячейки резистивной памяти. Оказалось, что при увеличении толщины электрода шероховатость его поверхности резко возрастает, а параметры ячейки памяти заметно улучшаются.

Лаборатория атомно-слоевого осаждения — одна из немногих по-настоящему инженерных лабораторий на Физтехе, которой удалось найти баланс между прикладной и научной деятельностью. Здесь все как полагается: патенты, статьи в журналах с высоким импакт-фактором, разработка технологий для промышленности, создание собственных научных методов и главное — команда настоящих профессионалов, увлеченных своим делом.